Πρόσφατα, η πρώτη παρτίδα μονάδων καρβιδίου του πυριτίου που χρησιμοποιεί τεχνολογία συντρίψεως νανοαργύρου απομακρύνθηκε με επιτυχία από την γραμμή παραγωγής της φάσης ΙΙ της Zhixin Semiconductor,ολοκλήρωση της ανεξάρτητης συσκευασίαςΑυτό θα φέρει μεγάλα οφέλη στην ανάπτυξη της κινεζικής βιομηχανίας οχημάτων νέας ενέργειας.
Το Silicon Carbide Wide Bandgap είναι ένα βασικό ερευνητικό έργο στην πρώτη γραμμή της επιστήμης και της τεχνολογίας στο εθνικό "14ο Πενταετές Σχέδιο".υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων, υψηλή θερμική αγωγιμότητα και άλλα χαρακτηριστικά, οι μονάδες καρβιδίου του πυριτίου έχουν σημαντικά πλεονεκτήματα υψηλής απόδοσης, υψηλής πίεσης και υψηλής θερμοκρασίας λειτουργίας,και η εφαρμογή τους στα μεσαία έως υψηλής κατηγορίας νέα οχήματα ενέργειας γίνεται όλο και πιο δημοφιλής.
Το έργο Zhixin Semiconductor Silicon Carbide Module βασίζεται στην νέα γενιά πλατφόρμα υψηλής τάσης 800V του ανεξάρτητου εμπορικού σήματος "Mach Power" της Dongfeng.Το έργο αναπτύχθηκε αρχικά το 2021 και εγκρίθηκε επίσημα ως έργο μαζικής παραγωγής τον Δεκέμβριο του 2022Το έργο της μονάδας του καρβιδίου του πυριτίου είναι υπό την ηγεσία της τεχνολογίας συσκευασίας ημιαγωγών Zhixin και συνεργάζεται εκτενώς με κεντρικές επιχειρήσεις και πανεπιστήμια.επίτευξη ανεξάρτητου ελέγχου των βασικών βασικών τεχνολογιών από τον σχεδιασμό των ενσωματωμένων μονάδων, δοκιμές συσκευασίας των συστατικών, εφαρμογή ηλεκτρονικού ελέγχου στις οδικές δοκιμές οχημάτων και άλλες πτυχές. the silicon carbide module development project has participated in one special project of the State owned Assets Supervision and Administration Commission and two industry standard formulation projects.
Η μονάδα του καρβιδίου του πυριτίου υιοθετεί τη διαδικασία συγκόλλησης του νανοασημιού και την τεχνολογία σύνδεσης χαλκού.χρησιμοποιεί κεραμική πλάκα επένδυσης υψηλών επιδόσεων νιτρίτη του πυριτίου και προσαρμοσμένο υπόστρωμα χαλκού εξαφάνισης θερμότηταςΗ θερμική αντοχή βελτιώνεται κατά περισσότερο από 10% σε σύγκριση με τις παραδοσιακές διαδικασίες, η θερμοκρασία εργασίας μπορεί να φθάσει τους 175 °C,η απώλεια μειώνεται σημαντικά κατά περισσότερο από 40% σε σύγκριση με τις μονάδες IGBT, και η αυτονομία του οχήματος αυξάνεται κατά 5% -8%.